GaN半導体専門の
グローバルファビュラス会社
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会社名
(株）ChipsK
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企業タイプ
中小企業
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設立
2017年 01月
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事業内容
GaNパワーモジュール,
通信用モジュール -
主要製品
GaN RF/電力用半導体素子
칩스케이 연혁
1. 기관 투자 유치 (10억 원)
2. 650V 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체 국산화
3. 강원대학교 반도체 특성화 사업단 참여
4. POSTECH 나노융합기술원(NINT)과 지·산·학·연 공동 발전을 위한 양해각서 체결
1.기관 투자 유치 (45억 원)
2.5G GaN RF Module 사업 시작 (with Japan (Toshiba ))
1. GaN 전력반도체 사업확장
2. 기관 투자 유치 (30억 원)
3. GaN Power Device 관련 4개 국책과제 참여
1. GaN RF 반도체 상용화
2. 민간투자 유치(20억원)
3. 5G GaN RF Module 사업 시작
1. 5G GaN RF Chip 출시
2. 5G GaN RF Module 개발
1. P사 MOU 체결 _ 일본시장 RF GaN TR 시장 발굴
2. GaN Power Device 개발 시작
1. GaN RF 제품개발 (LTE Band)
2. 5G Band GaN RF 개발 시작
1.법인설립
2. 신용보증기금 투자 유치 (10억원)
Good Company, Strong Corporation.
좋은 회사, 강한 기업
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Core Values
- GaN半導体の専門家グループ
- 人材重視の成長
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Competitive Position
- GaN設計の専門企業
- グローバルファウンドリ企業との
戦略的協業 -
GaNアプリケーションの協業
- RF: 日本向けシステム企業
- Power: チップメーカー、モジュール企業
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Core Competencies
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独自の設計技術および知的財産権の
保有
- 最大300W級RFデバイス技術の保有
- 最大650V級E-mode/D-modeパワーデバイス技術の保有
- Electro-thermal co-design（電気熱共同設計）を通じた発熱考慮チップ設計ノウハウ
- 小型化および発熱制御が可能な設計
技術の保有
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Business Scope
- Wafer business
- Chip business
- Package business
- Module (RF) business
核心競争力
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競争力要素 01
独自の設計技術および知的財産権の保有
小型化および発熱制御が可能な設計技術の保有
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エピ/デバイス構造に関する差別化されたIPの保有
- GaN SoC特許（機能性単一チップ技術）
- エピウェハー構造に関する特許の保有- デバイス構造に関する特許の保有
- プロセス関連特許の保有 - 300W級以下のGaN-on-SiC RF HEMT量産技術
- 650V級E-mode GaN-on-SiパワーFET量産技術
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エピ/デバイス構造に関する差別化されたIPの保有
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競争力要素 02
同等の競合製品に比べた小型化および価格競争力の確保
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Electro-thermal co-design（電気熱共同設計）を通じた小型化設計
- 自社の発熱を考慮したチップ最適設計により、最小チップ面積の設計案を導出
- プロセス、構造、パッケージ、駆動環境に対する総合的な考慮
- パワーデバイスおよび発熱に関する深い専門性が要求される
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Electro-thermal co-design（電気熱共同設計）を通じた小型化設計