GaN 반도체 기반 팹리스(Fabless) 기업
High Power GaN-on-SiC RF HEMTs
*GaN : Gallium Nitride *SiC : Silicon Carbide *HEMTs : High Electron Mobility Transistors
독자적인 GaN Power소자 에피 및
구조 설계
에피(Epi)/소자 구조 관련
차별화 및
다수 지식재산권(IP) 보유
높은 전력밀도와
고효율 및 소형화 구현
Electro-thermal co-design을
통한 발열 최적화 설계
미세 설계능력 확보로
제품 경쟁력 확보 및
다양한 사업영역 확보
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5G & 6G Mobile Network Infrastructure
5G & 6G
이동통신 네트워크 인프라㈜칩스케이는 전세계의 사물을 하나로 연결하는 차세대 무선 통신의 미래를
대비하고 있습니다.
독자적인 자체 구조설계 기술을 기반으로 높은 전력밀도와 고효율, 광대역, 소형화 등
우수한 GaN Device 솔루션을 고객사에 제공할 것입니다.
차세대 네트워크 인프라 구축에 기여하기 위해
최첨단 무선통신 기술을 구현하는데 최선을 다하겠습니다.
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Aerospace & Defense
우주항공 및 국방
우주항공 및 국방분야는 가혹한 환경조건에서 높은 내구성을 가진
고 신뢰성을확보하여야 합니다.
고객사의 요구사항에 맞춰 소형화, 경량화 및 최적화된 납기일정을 제공할 수 있습니다.
㈜칩스케이의 제품은 독자적인 원천기술을 기반으로 제공되기 때문에
해외로부터의 제약(Export License 등)이 없으며,
이를 통해 개발기간을 효율적으로 관리할 수 있습니다.
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LEO(Low Earth Orbit) Satellite Communication
저궤도 위성통신
미래의 통신서비스는 지상에서 해상, 공중까지 공간적으로 확장되면서
위성통신의 중요성이 커질 것으로 전망되고 있습니다.
특히 고도 300~1500Km의 저궤도 위성은 정지궤도 위성에 비해
짧은 지연시간으로 고속서비스를 제공하며 차세대 통신 인프라의 핵심으로
자리매김할 것입니다.
㈜칩스케이는 이러한 시장의 요구에 적극 대응하여
초고속, 저지연, 고효율, 초소형 RF GaN Device 솔루션을 제공할 것입니다.