GaN 반도체 전문
Global Fabless 기업
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사명
(주)칩스케이
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기업유형
중소기업
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설립연월
2017. 01
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사업분야
GaN 반도체,
통신 모듈 -
주요제품
GaN RF/전력소자,
통신용 모듈
칩스케이 연혁
1. 기관 투자 유치 (10억 원)
2. 650V 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체 국산화
3. 강원대학교 반도체 특성화 사업단 참여
4. POSTECH 나노융합기술원(NINT)과 지·산·학·연 공동 발전을 위한 양해각서 체결
1.기관 투자 유치 (45억 원)
2.5G GaN RF Module 사업 시작 (with Japan (Toshiba ))
1. GaN 전력반도체 사업확장
2. 기관 투자 유치 (30억 원)
3. GaN Power Device 관련 4개 국책과제 참여
1. GaN RF 반도체 상용화
2. 민간투자 유치(20억원)
3. 5G GaN RF Module 사업 시작
1. 5G GaN RF Chip 출시
2. 5G GaN RF Module 개발
1. P사 MOU 체결 _ 일본시장 RF GaN TR 시장 발굴
2. GaN Power Device 개발 시작
1. GaN RF 제품개발 (LTE Band)
2. 5G Band GaN RF 개발 시작
1.법인설립
2. 신용보증기금 투자 유치 (10억원)
Good Company, Strong Corporation.
좋은 회사, 강한 기업
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Core Values
- GaN 반도체 전문가 그룹
- People focused growth
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Competitive Position
- GaN 설계 전문업체
- Global Foundry 업체와 전략적 협업
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GaN Application 협업
- RF: 일본향 시스템 업체
- Power: 칩메이커, 모듈 업체
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Core Competencies
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독자 설계기술 및 지식재산권 보유
- 최대 300W급 RF 소자 기술 보유
- 최대 650V급 E-mode/D-mode Power
소자 기술 보유 -
독자 설계기술 및 지식재산권 보유
- Electro-thermal co-design을 통한
발열 고려 칩 설계 노하우
- 소형화 및 발열 통제 가능한 설계 기술 보유
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Business Scope
- Wafer business
- Chip business
- Package business
- Module (RF) business
핵심 경쟁력
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경쟁력 요소 01
독자적인 설계 기술 및 지식재산권 보유
소형화 및 발열통제 가능한 설계기술 보유
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에피/소자구조 관련 차별적 IP 보유
- GaN SoC 특허 (기능성 단일칩 기술)
- 소자구조 특허 보유- 에피 웨이퍼 구조 특허 보유
- 공정관련 특허 보유 - 300W급 이하 GaN-on-SiC RF HEMT 양산 기술
- 650V급 E-mode GaN-on-Si Power FET 양산 기술
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에피/소자구조 관련 차별적 IP 보유
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경쟁력 요소 02
동급 경쟁제품 대비 소형화 및 가격경쟁력 확보
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Electro-thermal co-design을 통한 소형화 설계
- 자체 발열 고려 칩 최적 설계를 통한 최소 칩면적으로 설계안 도출
- 공정, 구조, 패키지, 구동환경에 대한 종합적 고려
- 전력소자 및 발열에 대한 심도 깊은 전문성 요구
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Electro-thermal co-design을 통한 소형화 설계