Why is ChipsK?
GaNベースの半導体デバイスを専門とするファブレス企業
High Power GaN-on-SiC RF HEMTs
*GaN : Gallium Nitride *SiC : Silicon Carbide *HEMTs : High Electron Mobility Transistors
独自のGaNパワーデバイスの
エピタキシャルおよび構造設計
エピ/デバイス構造の
差別化と知的財産権 (IP) の所有
高電力密度、高効率、
小型化の可能性
電気熱共同設計による
熱最適化設計
製品の競争力を強化し、多様な事業分野を開拓するための
精密設計能力の確保
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5G & 6G
Mobile Network InfrastructureChipsKは、世界中のすべてをつなぐ次世代ワイヤレス通信の未来に備えています。
独自の構造設計技術を基盤に、高電力密度、高効率、広帯域、小型化を実現する優れたGaNデバイスソリューションを提供します。
私たちは、次世代ネットワークインフラの構築に貢献するため、先進的なワイヤレス通信技術の提供に尽力します
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Aerospace & Defense
航空宇宙および防衛分野では、過酷な環境条件に耐える高い信頼性と耐久性が求められます。
当社は、顧客の要件に合わせた小型化、軽量化、最適化されたソリューションを、正確な納期で提供します。
ChipsKの製品は独自のコア技術に基づいているため、海外の輸出ライセンスなどの制約を受けず、開発スケジュールを効率的に管理できます。
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LEO(Low Earth Orbit) Satellite Communication
将来の通信サービスは、陸から海や空へと空間的に拡大し、衛星通信の重要性が増すと予想されます。
特に、高度300 ~ 1,500kmの低軌道(LEO)衛星は、静止衛星に比べて遅延が短く、高速サービスを提供するため、次世代通信インフラの重要な構成要素となります。
ChipsKは、超高速、低遅延、高効率、超小型のRF GaNデバイスソリューションを提供することで、これらの市場ニーズに積極的に対応していきます。