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최신 기술로 세상을 변화시키는 혁신의 중심에서, 더 빠르고 스마트한 미래를 만들어갑니다.
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특허-제10-1455283호
2024.10.24 09:54
작성자
관리자
조회
31
패시베이션막 형성방법 및 이를 포함하는 AIGaN/GaN HFET의 제조 방법
파일1
1455283 특허.png
(파일크기 : 1.3M / 다운로드 : 8)