인증서
특허-제10-1455283호
2024.10.24 09:54- 작성자 관리자
- 조회 30
패시베이션막 형성방법 및 이를 포함하는 AIGaN/GaN HFET의 제조 방법
- 파일1 1455283 특허.png (파일크기 : 1.3M / 다운로드 : 7)
Open menu
R&D
인증서
최신 기술로 세상을 변화시키는 혁신의 중심에서, 더 빠르고 스마트한 미래를 만들어갑니다.